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Si3443CDV
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 °C, unless otherwise noted)
20
16
12
8
V GS = 5 V thr u 3.5 V
V GS = 3.0 V
V GS = 2.5 V
4.0
3.2
2.4
1.6
T C = 125 °C
4
V GS = 2.0 V
0. 8
T C = 25 °C
T C = - 55 °C
V GS = 1.5 V
0
0.0
0
1
2
3
4
0.0
0.6 1.2 1. 8
2.4
3.0
0.20
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Output Characteristics
1200
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
Transfer Characteristics
0.15
0.10
V GS = 2.5 V
V GS = 4.5 V
900
600
C iss
0.05
0.00
300
0
C rss
C oss
0
4
8
12
16
20
0
4
8
12
16
20
I D - Drain C u rrent (A)
On-Resistance vs. Drain Current and Gate Voltage
5
I D = 4.7 A
1.4
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Capacitance
V GS = 4.5 V
I D = 4.7 A
4
V DS = 10 V
V DS = 16 V
1.2
V GS = 2.5 V
I D = 3.4 A
3
1.0
2
0. 8
1
0
0.6
0
2
4
6
8
10
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
Document Number: 74495
S12-0335-Rev. C, 13-Feb-12
T J - J u nction Temperat u re (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
www.vishay.com
3
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